栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
Metal
所谓的High K工艺用的是什么？
所谓的High K工艺用的是什么？请问各位大神知道High-K和Low-K最新的制作工艺主要是用什么工艺么？PVE？ECD？我看last Gate工艺流程的提到的离子注入用的具体又是什么方法？为什么由于离子注入，first Gate工艺流程中的Gate contact会受到加热，从而影响性能？另外我记得好像一两年前High-K和Low-K还是不能做到一个芯片里的，虽然把他们一起运用理论上会得到更好
《Silicidation》-难熔金属硅化（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体线宽的等比例缩小，从微米级到深亚微米到纳米级，由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟，所以电路的工作速度限制已经无法忍受，所以一条方法就是降低互连电容，比如后段介质层用Low-K的FSG等，那另外一条路就是降低互连电阻，比如90nm的时候后段就开始用铜制程了，就是这个purpose，当
