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CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

微影制程之Overlay控制(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 乘着兴致,把黄光讲完吧,估计我也就懂这些了,我没讲到的期待有人能够补充发表,感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个,一个是特征尺寸(CD),一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位,顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment):现在的IC制造工艺非常复杂,需要用到三十几层光罩,除了第一层