集成电路设计的“新思路”(转)
写这篇文章时作者脑洞大开，提出了几个全新的概念，例如立方体集成电路Cubic IC，等时传输区域ITA，李特思空间LITS，有效功能体积EFV，阅读的时候，读者也需要打开脑洞，发挥想象力。
晶体管
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）设计与工艺
内容介绍IGBT是新型高频电力电子技术的CPU，是目前国家重点支持的核心器件，被广泛应用于国民经济的各个领域。本书共分10章，包括器件结构和工作原理、器件特性分析、器件设计、器件制造工艺、器件仿真、器件封装、器件测试、器件可靠性和失效分析、器件应用和衍生器件及SiC-IGBT。 本书面向电气、自动化、新能源等领域从事电力电子技术的广大工程技术人员和研究生，既满足从事器件设计、制造、封装、测试专业人
后FinFET时代，晶体管将走向何方？
编者按：进入最近两个月，因为三星3nm的大进步，还有台积电宣布在5nm乃至3nm进展，2nm规划，这就引发了大家对晶体管未来的担忧。那么究竟到了1nm之后，制程世界需要怎样的支持？未来的工艺技术又会走向何方？我们来看一下IMEC专家的分享。FinFET晶体管结构是当今半导体行业的主力。但是，随着微缩的继续，人们不希望出现的短沟道效应需要引入新的晶体管结构。在本文中，imec的3D混合微缩项目主管J
什么是High-K?
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。。 High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk
《Bipolar/三极管》的深度解析（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者注：感谢老唐，让我暑假加入重庆邮信半导体，我喜欢动手其乐无穷，那时候虽然做的3inch，7um的Bipolar，在金相显微镜下用镜头上的刻度尺量测，现在想想好低端，但那时候对我来说觉得好伟大。第一次当我自己扎上我自己的device时，那种开心溢于言表。这些年BJT的东西坦白讲看的很少，都是学校学的，但是真
集成电路制造技术简史 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换，而在硬件上就是从真空二极管(Vacuum Tube
