![第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]](https://zyblog-dxy.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/uploads/20210721/ee167119e3d266ce63bad8d961905cdd.png)
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。【什么是碳化硅?】碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体
热门图集
纳米集成电路制造工艺(第2版)张汝京
图解芯片技术
芯路 一书读懂集成电路产业的现在与未来
半导体制造工艺基础
最近更新
![碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]](http://zyblog-dxy.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/uploads/20210721/4cbe29ffbbf7e2b94c1ec7ff5b4e3506.png)
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作磨料，也被用于汽车制动盘，作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子
PECVD SiNx 薄膜应力的研究(含文档下载)
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系. 讨论了应力产生的原因以及
Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
首先，我们来看下什么是SIMS？ 技术原理（https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06）材料经由带有能量的入射离子轰击而产生二次离子，二次离子经加速后进入二次离子质谱分析系统运用电、磁场的偏转将离子按不同质量分
LPCVD多晶硅（Poly）的形貌和显微结构研究
研究了低压化学气相沉积（LPCVD）多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。 沉积温度为540～640℃，沉积态多晶硅薄膜表面粗糙，具有（110）织
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×1012瓦），相当于970亿桶原油每年加油。而可再生能源提供了一种环保的替代能源化石燃料仅占总量的10%左右[64]。伴随着清洁能源，必须努力抑制消费，这在一定程度上
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际
