芯片制造工艺问答005：Well制程影响那些组件特性?
Ans Well表面的Dopant浓度会影响：Vt、Id、Source / Drain Capacitance and Field isolation。Well中部的Dopant浓度会影响：Punch-through。Source, Drain breakdown voltageWell底部的Dopant浓度会影响：Latch-up and Well junction breakdown volt
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Ans Si Lattice Constant = 0.543 nm每个单位晶格内有 4 +
6*1/2 + 8*1/8 = 8 个原子体积浓度为
1/(5.43*10-8)3*8 = 5*1022cm-3 表面浓度与晶格方向有关，(1 0 0
)面的单位晶格内有 1 + 4*1/4 = 2 个原子(1 0 0 )面表面浓度为
芯片制造工艺问答003：目前常用的芯片阻值为何?
Ans 算成浓度值多少?P-type, r= 8~12Ω-cm, 10 ± 2 W-cm查表: 8Ω-cm à 1.68e15cm-3, 10Ω-cm à 1.34e15 cm-3, 12Ω-cm à 1.11e15 cm-3由
resistivity and concentration, the mobility can be derived:mn, mp =
electron and hole
芯片制造工艺问答002：为何需要Zero layer? Laser Mark?
Ans Zero
layerASML stepper system requires a zero mark for global
alignment purpose.For ASML 300B the overlay spec for single machine
is <45nm, for mated 300B machine <75nm and for 300 to 200 ma
芯片制造工艺问答001：为何需要Start Oxide?
Ans For zero layer PHO process, before PHO PR
deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. è Zero layer is designed by ASML stepper system.Preve
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