芯片制造工艺问答028：请问0.18um Gate oxide thickness从理论计算应能承受多少MV/cm @1pA 漏电 工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2045 浏览
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转） 本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）才讲完SiC和GaN的一些概论，赶快乘热把器件工作原理都讲完吧，不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料，而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍，所以都非常适合功率器件，而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍，所以他们都非常适合做High freque 第三代半导体 2019年06月17日 168 点赞 0 评论 4287 浏览
