绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con
制造工艺技术
IGBT理论与实践–实用篇 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to
大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不
浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后，会迅速进入低阻状态，所以I-V曲线迂回呈现负阻状态，所以叫做Snap-back(侧重工作区
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
前面几乎讲了MOS的结构原理，热载流子(HCI)，穿通(Punch Trough)，亚阈值(Swing/St)，长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了，还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校，我总分不清这两个关系)，后面再说Burried Channel和Poly Gate Depletion吧，貌似还
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk
CMOS器件进阶版讲解 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W
CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter
