栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
制造工艺技术
PECVD SiNx 薄膜应力的研究(含文档下载)
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系. 讨论了应力产生的原因以及
Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
首先，我们来看下什么是SIMS？ 技术原理（https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06）材料经由带有能量的入射离子轰击而产生二次离子，二次离子经加速后进入二次离子质谱分析系统运用电、磁场的偏转将离子按不同质量分
LPCVD多晶硅（Poly）的形貌和显微结构研究
研究了低压化学气相沉积（LPCVD）多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。 沉积温度为540～640℃，沉积态多晶硅薄膜表面粗糙，具有（110）织
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好
后FinFET时代，晶体管将走向何方？
编者按：进入最近两个月，因为三星3nm的大进步，还有台积电宣布在5nm乃至3nm进展，2nm规划，这就引发了大家对晶体管未来的担忧。那么究竟到了1nm之后，制程世界需要怎样的支持？未来的工艺技术又会走向何方？我们来看一下IMEC专家的分享。FinFET晶体管结构是当今半导体行业的主力。但是，随着微缩的继续，人们不希望出现的短沟道效应需要引入新的晶体管结构。在本文中，imec的3D混合微缩项目主管J
FD-SOI到底是什么？
来源：全球半导体观察当半导体工艺制程发展到22纳米时，为了满足性能、成本和功耗要求，延伸发展出来FinFET和FD-SOI两种技术。由于半导体龙头厂商英特尔主导推广FinFET技术，并得到晶圆代工大厂台积电的支持，使得FinFET技术大行其道。不过，最近几年SOI制程工艺越来越受业界关注，其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、芯原微电子等产业厂商在SOI技术上的投入越来越大。
半导体芯片制造中 BPSG 是什么？
硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）来制备。BPSG与PSG（磷硅玻璃）一样，在高温下的流动性较好，广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。PSG要求的回流温度很高大约1100℃，高温处理容易引起杂质浓度再扩散和硅片变形，以往PSG增加P的含量可
半导体晶圆制造基础知识
1. ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.
