一张图读懂半导体芯片制程
一张图读懂半导体芯片制程来源：Technews科技新报常听到媒体在讨论台积电或三星的半导体技术正进展到几纳米，各位读者是否真的知道这代表什么意思呢？所谓的纳米制程对半导体业而言到底多重要，又与摩尔定律、FinFET 及 EUV 等常见关键字有什么关联呢？本文带您一探中国台湾地区半导体发展以及制程技术。
EUV
Line 和 DUV 分别用什么样式的光阻？各个光阻特性如何？
To achieve sub-wavelength lithography results,resist rechnology - like the phase shifting masks,scanner optics and inspection techniques- is pushed to its absolute limit. Most importantly, the fundame
刻蚀极致工艺——光刻（烧脑篇）
转自：微信公众号 显示汇，微信号Display_Sea光刻机分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源（UV）。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（DUV），将波长进一步缩小到ArF的193 nm。由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流。想当年整个芯片工业，各家包括intel ,GF, 台积电，三星都在三星
阿斯麦从商业上看是一家可怜的公司
本文2018年12月18日首发于本人同名雪球原创专栏上半年因为中兴通讯的事儿，和另一个网友在雪球的帖子里争了几句，结果被主帖楼主拉黑，其实我对那个楼主还是很尊重的，知识面比较广。一直想论述一下，国内对芯片业的讨论，绕不过去的一家公司——阿斯麦，几乎是唯一的EUV光刻机公司，我想通过自己的论述表明，从商业上看（不是从技术上），这是一家很可怜的公司，没什么了不起的。首先看一看阿斯麦的基本情况。一）目前
光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，到底是在说什么？
01半导体光刻胶分类半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。以上的g线、i
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
