浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先
MOSFET
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了，刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料，我就来总结一下吧，抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
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碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作磨料，也被用于汽车制动盘，作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子
工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性
栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）
随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
pMOSFET的可靠性-NBTI （转）
当我们提起NMOS的可靠性的时候，大家随口就说HCI (Hot Carrier Injection)，她主要是由于短沟道效应导致的电子碰撞产生电子空穴对，而空穴被垂直栅极电场推进了substrate就成了Isub，而电子被Inject到gate端，与Si/SiO2的界面Si-H键碰撞使得Si-H键破裂重新产生界面陷阱电荷(Dit)，但是NMOS的Dit是产生在靠近Drain端的Gate OX哦，因为那里是pinch-off点，载流子最多碰撞几率最高。
栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
