栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
MOSFET
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料
集成电路制造技术简史 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换，而在硬件上就是从真空二极管(Vacuum Tube
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了，刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料，我就来总结一下吧，抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk
浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）
解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S
