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纳米集成电路制造工艺(第2版)张汝京
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图解芯片技术
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芯路 一书读懂集成电路产业的现在与未来
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半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础

“芯”无远虑,必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺,谁将接替Bulk CMOS?

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在,大量IC采用体硅CMOS(Bulk CMOS)工艺技术实现,这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术,但是,当工艺节点升级到20nm左右时,Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势,很多业者认为B

FD-SOI到底是什么?

来源:全球半导体观察当半导体工艺制程发展到22纳米时,为了满足性能、成本和功耗要求,延伸发展出来FinFET和FD-SOI两种技术。由于半导体龙头厂商英特尔主导推广FinFET技术,并得到晶圆代工大厂台积电的支持,使得FinFET技术大行其道。不过,最近几年SOI制程工艺越来越受业界关注,其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、芯原微电子等产业厂商在SOI技术上的投入越来越大。

半导体集成电路PIE常识

1.何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。2.200mm,300mm Wafer 代表何意义?答:8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直

半导体芯片制造中 BPSG 是什么?

硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG):这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法(SiH4+O2+PH3+B2H6,400oC~450oC)来制备。BPSG与PSG(磷硅玻璃)一样,在高温下的流动性较好,广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。PSG要求的回流温度很高大约1100℃,高温处理容易引起杂质浓度再扩散和硅片变形,以往PSG增加P的含量可

半导体晶圆制造基础知识

1.      ZERO OXIDE 的作用是什么?第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离,防止PR直接与Si接触,造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二,WAFTER MARK是用激光来打的,在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上,不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.     

【芯片】我在中芯国际的往事&中芯国际深度解析

导读:以下评论来自我们会员投的芯片公司创始人。这个产业需要技术/人/时间的积淀,很难跨越式发展。他们也是在摸索了数年,交了很多辆奔驰车的学费之后,才做出了细分领域唯一能量产交货的产线。真正跑过芯片线都会像这篇文章一样体会到:芯片制造最重要的要素就是协作!协作!协作!这也是中国做芯片生产最难!最难!最难掌握的核心技术,没有之一!生产一片wafer,需要近百号人,上百道工序,一个月不分昼夜,一“纳”不

对Fab PIE 的最确切解读

内容摘自网络。谨以此帖献给那些在Fab 拼搏的PE和EE们.其实PIE也是不容易的!( Q3 e7 E6 K* C) S! ~PIE确实不容易,这句话作为开场白。很多人都想做PIE,包括应届生,有经验的module,我想原因很简单,在fab中,PIE学到东西最多,技术含量最高,最容易跳槽。我的意思并不是PIE一定比PE更牛,而是说在半导体整个技术层面上来说,PIE更加全面,因此也带来一个

光刻机40年资本局:尼康起高楼,ASML宴宾客,美国楼塌了

前言:科技大国的资本局已经到了临界点,是否限制中国购买设备成为越来越紧迫的压力,需要这42位局中人做出选择。成也政治,败也政治,将是光刻机的宿命。以下文章来源于橙子不糊涂 ,作者橙子不糊涂2019年,尼康总共销售了47台光刻机,占全市场的13%,还不如自己的难兄难弟佳能。不过虽然佳能销售了82台,但是集中在第一、第二代古老的光刻机,别说高端市场,连中端市场都没什么存在感。01尼康起高楼,

你真的懂IC测试吗?

来源:内容来自「基业常青经济研究院 」,作者:陈凯,谢谢。从IDM到垂直分工,IC产业专业化分工催生独立测试厂商出现。集成电路产业从上世纪60年代开始逐渐兴起,早期企业都是IDM运营模式(垂直整合),这种模式涵盖设计、制造、封测等整个芯片生产流程,这类企业一般具有规模庞大、技术全面、积累深厚的特点,如Intel、三星等。随着技术升级的成本越来越高以及对IC产业生产效率的要求提升,促使整个产业逐渐向

2019全球晶圆代工情况梳理

来源:芯思想 作者:赵元闯本文不包括CIDM和VIDM项目。一、工艺制程篇1、中芯国际2019年第一季度,12nm工艺开发进入客户导入阶段,第二代FinFET N+1研发取得突破,进度超过预期。第二季度14纳米FinFET制程进入客户风险量产阶段,2019年第四季实现小批量生产。第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入。2、华虹集团2019年,华虹集团坚持先进工艺和成熟工艺并举,构建集