生活逗段,笑你停不下来!
生活逗段,笑你停不下来!1、最低调的就是三亚人了，开着法拉利也自称琼B。2、世界上有两个你，一个吃货的你，一个真心想减肥的你～3、其实很多人是不怕撞南墙的，以他们的身板能把南墙撞塌。4、男人最怕什么？女人呀！那女人最怕什么？除了男人啥都怕！5、生活是一边拿刀反反复复的捅你，一边责备你怎么这么久还没练成刀枪不入6、“如果你能猜到硬币在哪只手里，我就帮你实现三个愿望。”千手观音对我说。7、什么是爆款？
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Design与FAB的桥梁2-《Design Rule》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一章讲完了SPICE Model，它是Design与FAB的第一道桥梁，如果它用我们的Model做电路仿真能够得出他需要的输入输出特性，则表示我们制程和电性参数是符合他们要求的。那接下来他们需要通过第二道桥梁“Design Rule-设计规则”来将他的电路转换成Layout/版图，然后通过tape-out做成光罩，我们
Design与FAB的桥梁1-《SPICE Model》（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）说起电路，很多朋友会很自然的想起高中物理的电路实验，一个灯泡加一个开关和一个电池用导线链接起来，对，那是我们最早接触的电路。后来上大学了，我们对电路的理解变成了实验室里的面包板(BreadBoard)上插入很多电子元件(电阻、发光二极管等)来验证我们的实验结果，高级点的会用到印刷电路板，也就是我们讲的PCB板，我记得我们
集成电路制造技术简史 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换，而在硬件上就是从真空二极管(Vacuum Tube
《Silicidation》-难熔金属硅化（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体线宽的等比例缩小，从微米级到深亚微米到纳米级，由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟，所以电路的工作速度限制已经无法忍受，所以一条方法就是降低互连电容，比如后段介质层用Low-K的FSG等，那另外一条路就是降低互连电阻，比如90nm的时候后段就开始用铜制程了，就是这个purpose，当
如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料
如何巧用C-V曲线来查case （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wa
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
晶圆制备–绝缘体上硅(SOI) （转）
最近半导体界比较hot的新闻比较多，抛开我们公司(tsmc, 2330)和友公司的10nm和7nm互相宣传外，另外一个新闻便是GlobalFoundry(俗称女朋友)7月14日高调宣布22nm的FD-SOI制程的“22FDX"制程平台。这可是全球首家，当制程节点走向28nm以下时就不得不进入FinFET时代，这可是结构的变化，很多器件模型可谓翻天覆地的变化，设计难度和成本增加很多很多。如果有一家能
