中国IGBT和国外有多大差距？看完这篇你就清楚了 (转)
近年媒体的大陆报道，让我们知道中国集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业，中国也几乎都依赖进口，那就是IGBT等功率元器件。我认为这是真的重点发展，且必须重视的产业，因为在高铁和现在大力发展的新能源汽车领域，IGBT是必不可少的，如果都掌握在别人手里，那就会对发展造成影响。我们先从什么是IGBT说起。所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管)
制造工艺技术
微影制程之《Mask/Reticle》篇 （转）
黄光的部分应该只剩下光罩了，你复制图形，一定的有底片吧，其实光罩就是我们洗照片的底片。我们照相都是先拍照获得底片，再用底片去复制图形/照片，而我们的Mask shop就类似照相的拍出底片，而我们的黄光就是利用底片/光罩来复制转移图形。光罩(土话叫光刻版)，英文名叫Mask，也叫Reticle(因为早期的对位是十字线)。通常有5寸和6寸两种大小，5寸光罩主要用于5寸和6寸的FAB生产线，而6寸光罩主
为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA)，一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能，Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的？原理又是什么？简单讲就是：LOCOS时代：W减小Vt增大；而L减小，Vt减小(w/o poc
RCA标准清洗法详解
RCA标准清洗法RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120
最通俗易懂的光刻机原理介绍
光刻机，是现代光学工业之花，是半导体行业中的核心技术。可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位，光刻机，是制造芯片的机器，要是没有了光刻机，我们就没有办法造出芯片，自然也就不会有我们现在的手机、电脑了。光刻机是用于芯片制造的核心设备，按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机。光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先咱们有个概念：我们现在芯片的线条
半导体晶圆制造基础知识
1. ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好
