本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)在讲Spacer的Process理论之前,先讲下Spacer的作用,为什么要有这么个结构?这样你们才能永远记住它。我们这些80后做半导体PIE的一出道就接触的是1.0um以下,我们称之为亚微米制程(到0.25um以下,我们称之为深亚微米, deep sub-micron)。而我们在亚微米以及深亚微米时代随着栅极长度/沟道
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W