晶圆厂产能不足下的思考
近期，晶圆代工产能越发紧张，一方面是因为行业一直处于供不应求的状态，而且已经持续了一年左右的时间。另一方面，华为禁令效应也在客观上起到了催化剂的作用，由于在禁令正式生效之前，华为大量下单各种芯片，进一步加剧了这种产能与需求之间的不平衡。据中国台湾地区媒体报道，由于代工产能供不应求，有IC设计厂商透露，联电和世界先进已经调涨近期新投片的价格，并通知客户要调升今年第四季度与明年的代工价格。据悉，联电的
28nm
刻蚀极致工艺——光刻（烧脑篇）
转自：微信公众号 显示汇，微信号Display_Sea光刻机分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源（UV）。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（DUV），将波长进一步缩小到ArF的193 nm。由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流。想当年整个芯片工业，各家包括intel ,GF, 台积电，三星都在三星
所谓的High K工艺用的是什么？
所谓的High K工艺用的是什么？请问各位大神知道High-K和Low-K最新的制作工艺主要是用什么工艺么？PVE？ECD？我看last Gate工艺流程的提到的离子注入用的具体又是什么方法？为什么由于离子注入，first Gate工艺流程中的Gate contact会受到加热，从而影响性能？另外我记得好像一两年前High-K和Low-K还是不能做到一个芯片里的，虽然把他们一起运用理论上会得到更好
基于XILINX的28nm从三重氧化物到HIGH-K详细分析与前景
近10年来，当集成电路进入亚微米阶段，当人们享受到摩尔定律带来的好处时， 一朵乌云，一直笼罩在集成电路业界的上空，就是越来越严重的跑冒滴漏现象。 作为集成电路的最基本组成单元，晶体管，当尺寸越来越小的时候，漏电缺越来越严重，不仅传统漏电的地方漏，本来不该漏电的地方也开始从涓涓细流满满发展成波涛汹涌。 就像上图的那个漏水的水龙头。刚开始，漏水的地方主要是出水口和进水口直接的部分， 因为水流主要在这里
