Furnace
ASM Furnace,先晶半导体立式炉管介绍（含ppt附件）
先晶半导体设备(上海)有限公司是一家外商独资企业，隶属于ASM International N.V.它的总部设在比尔特霍芬，荷兰。ASM国际及其附属公司通过其在美国，欧洲，日本和美国的工厂提供晶圆加工，组装和包装的生产解决方案。公司拥有强大的技术基础，一流的生产设备，合格的员工队伍和训练有素的战略性分销网络。ASM中国有限公司成立于2001，专注于前端半导体设备市场在中国。WIP StationW
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
芯片制造工艺问答033：说明Gate oxide quality (integrity)如何量度? 解释不同方法的优缺点 (Vbd, Qbd, )
Ans Vbd: pattern 2000×2000um2, die no=72ea, Vbd>= 8V for oxidethickness 70A, Vbd>=12V for oxide thickness 115A. Vbd>=6.5V, pass orVbd<=2.5V, mode A failure, 2.5V < Vbd< 6.5V, B mo
芯片制造工艺问答014：SiN CVD dep时炉管各部分的温度别控制在什么范围? 为什么如此?
Ans Temperature control divided to three zone:
bottom, center, upper, since gas flow from bottom, in order to compensate the
difference of gas concentration, B-zon
芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?
Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe
芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?
Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP
