可靠性系列-Gate Oxide Degradation
可靠性系列文章将主要介绍可靠性相关的概念及失效机理。01 MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有
GateOxide
芯片制造工艺问答033：说明Gate oxide quality (integrity)如何量度? 解释不同方法的优缺点 (Vbd, Qbd, )
Ans Vbd: pattern 2000×2000um2, die no=72ea, Vbd>= 8V for oxidethickness 70A, Vbd>=12V for oxide thickness 115A. Vbd>=6.5V, pass orVbd<=2.5V, mode A failure, 2.5V < Vbd< 6.5V, B mo
芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?
Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe
芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?
Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP
芯片制造工艺问答029：Gate oxide 成长有哪些重要考虑?
Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.
芯片制造工艺问答027：Gate oxide对产品影响的参数有哪些?
MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子，即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂，简单来说就是一
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×1012瓦），相当于970亿桶原油每年加油。而可再生能源提供了一种环保的替代能源化石燃料仅占总量的10%左右[64]。伴随着清洁能源，必须努力抑制消费，这在一定程度上
