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半导体行业 第2页

笔记:平面SiC MOSFET与沟槽型(Trench)SiC MOSFET的综合对比分析

博主11个月前 (09-29)第三代半导体24370
笔记:平面SiC MOSFET与沟槽型(Trench)SiC MOSFET的综合对比分析

笔记:SiC Trench MOSFET工艺及发展趋势

博主11个月前 (09-29)第三代半导体15070
笔记:SiC Trench MOSFET工艺及发展趋势

笔记:碳化硅功率器件可靠性测试详解

博主11个月前 (09-29)第三代半导体9980
笔记:碳化硅功率器件可靠性测试详解

光刻机设备与工艺原理深度解析

博主11个月前 (09-28)半导体技术精帖10170
光刻机设备与工艺原理深度解析

晶圆级老化测试(WLBI)在碳化硅(SiC)晶圆中的应用解析

博主11个月前 (09-27)半导体技术精帖17520
晶圆级老化测试(WLBI)在碳化硅(SiC)晶圆中的应用解析

半导体工艺中Kooi Effect原理介绍

博主11个月前 (09-27)半导体技术精帖12160
半导体工艺中Kooi Effect原理介绍

STI与LOCOS工艺对比及应用分析

博主11个月前 (09-27)半导体技术精帖11850
STI与LOCOS工艺对比及应用分析

硅基氮化镓工艺技术流程详解

博主11个月前 (09-27)半导体技术精帖11030
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半导体电性参数VF及典型参数解析

博主11个月前 (09-27)半导体技术资料20510

北方华创NMC508C刻蚀设备技术解析

博主12个月前 (08-24)半导体技术精帖22270
北方华创NMC508C刻蚀设备技术解析
以下是针对北方华创NMC508C Poly ETCH刻蚀设备的详细技术解析,综合其工作原理、工艺原理及气体体系,结合行业应用需求进行说明:…

运营一家芯片厂有多难?不比造芯片简单!

博主12个月前 (08-24)半导体行业故事26830
运营一家芯片厂有多难?不比造芯片简单!

[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析

博主12个月前 (08-24)半导体技术精帖14170
[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析
详细解读国产SiC沟槽MOSFET面临的专利限制、技术优势、市场前景及发展路径。报告的主要内容如下: 专利壁垒分析:使用表格介绍国际巨头专利布局及国内面临的限制。国内发展现状:分技术突破、量产时…

[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解

博主12个月前 (08-24)半导体技术精帖16160
[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解
好的,我们来详细解释一下碳化硅(SiC)功率器件制造工艺中的核心材料——碳化硅同质外延片,以及您提到的关键概念和工艺。核心概念解析: 4H-SiC: 这是碳化硅最常见的多型体(晶体结构的一…

LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比

博主4年前 (2022-03-06)半导体技术精帖19680
LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比

公开课:​微电子工艺 视频教程

博主5年前 (2021-06-13)半导体技术资料45690
公开课:​微电子工艺 视频教程