制造工艺技术

经典:CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所以I-V曲线迂回呈现负阻状态,所以叫做Snap-back(侧重工作区

笔记:光刻技术问与答

何谓DUV? 答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程(0.35微米以上)或者较先进制程(0.35微米以下)的Non-Critical

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

如何巧用C-V曲线来查Case(转)

随着半导体制程越来越复杂,我们最关键的参数Vt的控制越来越重要,有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题,其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式,只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wafer start直接丢到系统里run到WAT,也能找到问题,可是那不是工程师

栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode),当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric),记住我讲的是栅极介质层,不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide),早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide,但是随着Moore's Law的scale down,

《LOCOS与STI》你真的知道吗?(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS,再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS,那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧,所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说,我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压),那有源器件所在的区域

LPCVD多晶硅(Poly)的形貌和显微结构研究

        研究了低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。                      沉积温度为540~640℃,沉积态多晶硅薄膜表面粗糙,具有(110)织

半导体工艺学习笔记

第一章   微电子工艺引论1.  硅片、芯片的概念硅片:制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片芯片:由硅片生产的半导体产品2.  *什么是微电子工业技术?微电子工业技术主要包括哪些技术?微电子工艺技术:在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术。包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度

这可能最简单的半导体工艺流程(一文看懂芯片制作流程)(转)

本文来源于公众号“半导体产业园”本来打算每周中发一篇文章,但是现在是国庆假期期间,就加个班,写了第二篇。码字不易啊~OK,我们进入正题~上一期我们聊了CMOS的工作原理,我相信你即使从来没有学过物理,从来没学过数学也能看懂,但是有点太简单了,适合入门,如果你想了解更多的CMOS内容,就要看这一期的内容了,因为只有了解完工艺流程(也就是二极管的制作流程)之后,才可以继续了解后面的内容。那我们这一期就