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如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料

制造工艺技术 2019年06月15日 135 点赞 0 评论 4035 浏览

CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter

制造工艺技术 2019年06月18日 157 点赞 0 评论 4063 浏览

IGBT理论与实践–实用篇 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to

制造工艺技术 2019年06月20日 158 点赞 0 评论 4482 浏览

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）才讲完SiC和GaN的一些概论，赶快乘热把器件工作原理都讲完吧，不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料，而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍，所以都非常适合功率器件，而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍，所以他们都非常适合做High freque

第三代半导体 2019年06月17日 168 点赞 0 评论 4570 浏览

所谓的High K工艺用的是什么？

所谓的High K工艺用的是什么？请问各位大神知道High-K和Low-K最新的制作工艺主要是用什么工艺么？PVE？ECD？我看last Gate工艺流程的提到的离子注入用的具体又是什么方法？为什么由于离子注入，first Gate工艺流程中的Gate contact会受到加热，从而影响性能？另外我记得好像一两年前High-K和Low-K还是不能做到一个芯片里的，虽然把他们一起运用理论上会得到更好

制造笔记 2020年04月13日 168 点赞 0 评论 4604 浏览

半导体C-V测量基础

半导体C-V测量基础

品质管理 2019年06月22日 156 点赞 0 评论 4723 浏览

绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con

制造工艺技术 2019年06月20日 167 点赞 0 评论 5034 浏览

CMOS器件进阶版讲解 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

制造工艺技术 2019年06月19日 169 点赞 0 评论 5275 浏览

《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域

制造工艺技术 2021年06月15日 126 点赞 0 评论 5429 浏览

栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，

制造工艺技术 2019年06月15日 125 点赞 0 评论 5438 浏览