笔记：光刻技术问与答
何谓DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical
制造工艺技术
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后，会迅速进入低阻状态，所以I-V曲线迂回呈现负阻状态，所以叫做Snap-back(侧重工作区
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
半导体晶圆制造基础知识
1. ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.
最通俗易懂的光刻机原理介绍
光刻机，是现代光学工业之花，是半导体行业中的核心技术。可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位，光刻机，是制造芯片的机器，要是没有了光刻机，我们就没有办法造出芯片，自然也就不会有我们现在的手机、电脑了。光刻机是用于芯片制造的核心设备，按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机。光刻机的核心原理就是一个透镜组，在精度上首先咱们有个概念：我们现在芯片的线条
RCA标准清洗法详解
RCA标准清洗法RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120
为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA)，一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能，Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的？原理又是什么？简单讲就是：LOCOS时代：W减小Vt增大；而L减小，Vt减小(w/o poc
